称重传感器应变片常用的材质主要有以下几类：
金属材质
康铜：是一种铜镍合金，具有电阻温度系数小、稳定性好、应变灵敏系数较为稳定等优点，能在较宽的温度范围内保持良好的性能，适合制作高精度的称重传感器应变片。一般采用高纯度康铜，通过光学处理后刻蚀成不同感应形变的电阻栅丝，粘贴在高分子薄膜基材上使用。
镍铬合金：具有较高的电阻率和抗氧化性能，在高温环境下也能保持较好的稳定性，但其电阻温度系数相对较大。常用于一些对耐高温性能有要求的称重传感器中。
金属箔：通常由铜、镍、康铜等金属制成，厚度一般在 0.003 - 0.01mm。通过光刻技术将金属箔刻蚀成所需形状，制成箔式应变片。这种应变片具有良好的线性响应、散热好、蠕变小、接触面积大等优点，能更精确地测量应变，目前在称重传感器中被广泛使用。
金属薄膜：采用真空蒸发或真空沉积等方法，在绝缘基底上形成厚度在 0.1µm 以下的金属电阻薄膜。金属薄膜式应变片灵敏度高，电流密度大，工作温度范围广，适用于一些对精度和温度特性要求较高的特殊称重传感器。
半导体材质
硅：是最常用的半导体材料，利用其压阻效应制成的半导体应变片，灵敏度高，能将微小的应变转化为较大的电阻变化，可实现高精度测量，且机械滞后小、横向效应小、体积小、耗电少。但缺点是温度稳定性差、灵敏度离散程度大，在较大应变作用下非线性误差大。随着 MEMS 工艺的发展，基于硅的半导体应变片可实现高精度和低成本并存，在一些高精度称重传感器以及微型称重传感器中得到了广泛应用。
锗：也是一种半导体材料，其性能与硅类似，但在某些特定条件下，如低温环境，锗的性能可能优于硅。不过，锗的成本相对较高，限制了其大规模应用。
此外，还有压电陶瓷等材料，利用压电效应，在机械应力作用下产生电荷或电压，也可用于制作应变片，不过在称重传感器中相对较少见。
